Problemas de amplificadores con FETs
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Problemas de amplificadores con FETs
(/(&75Ï1,&$%È6,&$ 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN 241$.'/#5 de Amplificadores de pequeña señal Amplificadores de pequeña señal con transistores FET Amplificadores en cascada y con varios transistores (/(&75Ï1,&$%È6,&$ ','4%+%+15FG#ORNKHKECFQTGUFGRGSWGÌCUGÌCN 3UREOHPD En el circuito amplificador de la figura, se desea que el valor de la corriente de drenador ID a 25ºC tome valores dentro del rango 1.5mA d ID d 2.5mA, independientemente de las variaciones máximas y mínimas de los parámetros del transistor JFET canal n utilizado alrededor de sus valores típicos, representadas en la característica de transferencia de la figura F1. Determinar: D Los valores de RG1, RG2 y RS necesarios, sabiendo que el valor de la impedancia de entrada debe ser ZIN=100k:. E La ganancia de tensión AV=VO/VI , considerando el valor típico de los parámetros característicos del transistor JFET, expresada en dB. V CC = 2 4 V I D ( mA) R D = 5 k: R G1 vi 10 f f vo 7 R G2 RS f 4 max typ m in V GS ( V) -4 - 2 .6 - 1 .2 6ROXFLyQ D 5* 0:5* N:56 N:E $9 G% 3UREOHPD En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal: D Ganancias de tensión AV1=VO/VI y AV2=VO/VS , expresadas en dB. E Impedancia de entrada ZIN. F Ganancia de corriente AI=IO/II, expresada en dB. G Impedancia de salida ZOUT. Considerar que VDD=15V, RG1=820k:, RG2=100k:, RG3=1M:, RD=2.2k:, RS=1k:, RI=600: y RL=10k:, siendo los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña señal, gm=2.6mA/V, rds=100k:. VDD= 1 5 V R G1 f Ri RD f io vo ii + - R G3 RL vi vS R G2 f RS 6ROXFLyQ D $9 G%$9 G%E =,1 0:F $, G%G =287 : 3UREOHPD En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal: D Ganancia de tensión referida al generador de señal de entrada AV=VO/VS , expresada en dB. E Impedancia de entrada ZIN. Considerar que VDD=15V, RS=600:, RG=100k:, RS1=1k:, RS2=1k: y RL=22k:, siendo los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña señal, gm=10mA/V, rds=500k:. VDD= 1 5 V f RS f io vo ii + - vS RG R S1 vi RL R S2 - 6ROXFLyQ D $9 G%E =,1 N: 3UREOHPD En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal: D Ganancia de transimpedancia AR1=V1/II. E Ganancia de tensión AV2=V2/V1. F Ganancia de tensión AV3=VO/V2. G Impedancia de entrada ZIN. H Impedancia de salida ZOUT. Considerar que los parámetros en pequeña señal de los transistores bipolares Q1 y Q2 son: E=100, r’e1=10:, r’e2=8.5:, y que los parámetros característicos del transistor JFET de canal n Q3, son: gm=20mA/V y rds=100k:. V CC R B2 = 1 M : R C1 = 5 .6k: R D = 5 k: R C2 = 3.6 k: R G1 = 1 80k: vo Q3 f R G3 = 1 00 k: + Q2 + ii Q1 R E1 = 40 : v1 v2 R G2 = 56 k: R S = 1k: f R E2 = 2 20: - Z in - Z ou t 6ROXFLyQ D $5 N:E $9 F $9 G =,1 N:H =287 N: 3UREOHPD Se dispone de un circuito amplificador de dos etapas con acoplo directo, como se muestra en la figura, constituyendo un amplificador CASCODO. V CC= 15V R L = 500 : f R B1 = 5 k: vo Q2 f R S = 5 0: vS + - R B2 = 2 5k: f R G= 1M : Q1 R S = 1 k: f Suponiendo que VBE=0.6V, E>>1, IDSS=10mA y Vp=-4V: D Identificar cada una de las etapas formadas por Q1 y Q2. E Calcular los puntos de trabajo de los transistores Q1 y Q2. F Calcular la ganancia de tensión AV=VO/VS, expresada en dB. G CalcuIar la impedancia de entrada vista desde el generador de señal ZIN. H Calcular la impedancia de salida ZOUT. 6ROXFLyQ D )XHQWH&RP~Q±%DVH&RP~QE ID1=2.1467mA, VDS1=9.7533V, IC2=2.1467mA, VCE2=2.026V. F $9 G%G =,1|0:F =287 : 3UREOHPD En el circuito amplificador de la figura, los parámetros característicos de los transistores JFET canal n Q1, Q2 y Q3, son: gm=1mA/V y rds=40k:. Calcular: D La ganancia de tensión de cada etapa. E La ganancia de tensión global AV=VO/VS. VDD R D 1 = 4 0 k: Q1 R D 2 = 1 0 k: Q2 Q3 vo vS + - R S1 = 2 k: R S3 = 5 k: 6ROXFLyQ D $9 $9 $9 E AV=64.5.